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DMN10H099SFG-7
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Número de pieza
DMN10H099SFG-7
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerDI3333-8
Disipación de energía (máx.)
980mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
25.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1172pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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