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DMN2013UFX-7
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
Número de pieza
DMN2013UFX-7
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-VFDFN Exposed Pad
Potencia - Máx.
780mW
Paquete de dispositivo del proveedor
W-DFN5020-6
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
57.4nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2607pF @ 10V
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