Comprar Diodes Incorporated DMN32D2LFB4-7 MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

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DMN32D2LFB4-7

MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Número de pieza

DMN32D2LFB4-7

Fabricante/Marca

Diodes Incorporated

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

3-XFDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

X2-DFN1006-3

Disipación de energía (máx.)

350mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

300mA (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 100mA, 4V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

39pF @ 3V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 4V

Vgs (máx.)

±10V

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