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DMT6016LFDF-13

DMT6016LFDF-13

MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Número de pieza
DMT6016LFDF-13
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
6-UDFN (2x2)
Disipación de energía (máx.)
820mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8.9A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
864pF @ 30V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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