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ZXM66P02N8TC
MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC
Número de pieza
ZXM66P02N8TC
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Disipación de energía (máx.)
1.56W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6.4A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
700mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
43.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2068pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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