Comprar GeneSiC Semiconductor 1N5830R DIODE SCHOTTKY REV 25V DO4

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1N5830R

DIODE SCHOTTKY REV 25V DO4

Número de pieza

1N5830R

Fabricante/Marca

GeneSiC Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Tipo de montaje

Chassis, Stud Mount

Paquete / Estuche

DO-203AA, DO-4, Stud

Paquete de dispositivo del proveedor

DO-4

Tipo de diodo

Schottky, Reverse Polarity

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

25A

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

580mV @ 25A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

2mA @ 20V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

25V

Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 150°C

Capacitancia @ Vr, F

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