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AUIRF7342Q
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
Número de pieza
AUIRF7342Q
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
2W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
55V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.4A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
690pF @ 25V
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