Comprar Infineon Technologies AUIRF7379QTR MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC

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AUIRF7379QTR

MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC

Número de pieza

AUIRF7379QTR

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Potencia - Máx.

2.5W

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Tipo FET

N and P-Channel

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.8A, 4.3A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

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