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AUIRF7665S2TR

AUIRF7665S2TR

MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
Número de pieza
AUIRF7665S2TR
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
DirectFET™ Isometric SB
Paquete de dispositivo del proveedor
DIRECTFET SB
Disipación de energía (máx.)
2.4W (Ta), 30W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
62 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 25µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
515pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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