Comprar Infineon Technologies BSC019N02KSGAUMA1 MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

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BSC019N02KSGAUMA1

MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Número de pieza

BSC019N02KSGAUMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TDSON-8

Disipación de energía (máx.)

2.8W (Ta), 104W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

30A (Ta), 100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.95 mOhm @ 50A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.2V @ 350µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13000pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±12V

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