Comprar Infineon Technologies BSC028N06NSTATMA1 DIFFERENTIATED MOSFETS

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

BSC028N06NSTATMA1

DIFFERENTIATED MOSFETS

Número de pieza

BSC028N06NSTATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TDSON-8

Disipación de energía (máx.)

3W (Ta), 100W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

24A (Ta), 100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.8 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.3V @ 50µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3375pF @ 30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 51058 PCS

Información del contacto