Comprar Infineon Technologies BSC097N06NSTATMA1 DIFFERENTIATED MOSFETS

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Hojas de datos

BSC097N06NSTATMA1

DIFFERENTIATED MOSFETS

Número de pieza

BSC097N06NSTATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TDSON-8

Disipación de energía (máx.)

3W (Ta), 43W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

13A (Ta), 48A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

9.7 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.3V @ 14µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1075pF @ 30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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