Comprar Infineon Technologies BSC159N10LSFGATMA1 MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

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BSC159N10LSFGATMA1

MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

Número de pieza

BSC159N10LSFGATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TDSON-8

Disipación de energía (máx.)

114W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9.4A (Ta), 63A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

15.9 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.4V @ 72µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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