La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
BSP295E6327T
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
Número de pieza
BSP295E6327T
Fabricante/Marca
Serie
SIPMOS®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-261-4, TO-261AA
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-SOT223-4
Disipación de energía (máx.)
1.8W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.8A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.8V @ 400µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
368pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 52800 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deBSP295E6327T
BSP295E6327T Componentes electrónicos
BSP295E6327T Ventas
BSP295E6327T Proveedor
BSP295E6327T Distribuidor
BSP295E6327T Tabla de datos
BSP295E6327T Fotos
BSP295E6327T Precio
BSP295E6327T Oferta
BSP295E6327T El precio más bajo
BSP295E6327T Buscar
BSP295E6327T Adquisitivo
BSP295E6327T Chip