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BSP297L6327HTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Número de pieza
BSP297L6327HTSA1
Fabricante/Marca
Serie
SIPMOS®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-261-4, TO-261AA
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-SOT223-4
Disipación de energía (máx.)
1.8W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
660mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.8V @ 400µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16.1nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
357pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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