Comprar Infineon Technologies BSP613PL6327HUSA1 MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

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BSP613PL6327HUSA1

MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

Número de pieza

BSP613PL6327HUSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-261-4, TO-261AA

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-SOT223-4

Disipación de energía (máx.)

1.8W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.9A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

875pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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