Comprar Infineon Technologies BSR316PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3

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Hojas de datos

BSR316PH6327XTSA1

MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3

Número de pieza

BSR316PH6327XTSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-SC-59

Disipación de energía (máx.)

500mW (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

360mA (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 360mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 170µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

165pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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