Comprar Infineon Technologies BSS670S2L MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23

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Hojas de datos

BSS670S2L

MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23

Número de pieza

BSS670S2L

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-SOT23-3

Disipación de energía (máx.)

360mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

55V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

540mA (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 270mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 2.7µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

2.26nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

75pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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