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BSZ068N06NSATMA1

BSZ068N06NSATMA1

MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
Número de pieza
BSZ068N06NSATMA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TSDSON-8-FL
Disipación de energía (máx.)
2.1W (Ta), 46W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
40A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
6.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.3V @ 20µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 30V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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Palabras clave deBSZ068N06NSATMA1
BSZ068N06NSATMA1 Componentes electrónicos
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