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BSZ105N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
Número de pieza
BSZ105N04NSGATMA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TSDSON-8
Disipación de energía (máx.)
2.1W (Ta), 35W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
11A (Ta), 40A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 14µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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