Comprar Infineon Technologies BSZ12DN20NS3GATMA1 MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

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BSZ12DN20NS3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

Número de pieza

BSZ12DN20NS3GATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TSDSON-8

Disipación de energía (máx.)

50W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11.3A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 25µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8.7nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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