Comprar Infineon Technologies BSZ180P03NS3GATMA1 MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

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BSZ180P03NS3GATMA1

MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

Número de pieza

BSZ180P03NS3GATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TSDSON-8

Disipación de energía (máx.)

2.1W (Ta), 40W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9A (Ta), 39.6A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.1V @ 48µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2220pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±25V

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