La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
BUZ32 H
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Número de pieza
BUZ32 H
Fabricante/Marca
Serie
SIPMOS®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO-220-3
Disipación de energía (máx.)
75W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 49914 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deBUZ32 H
BUZ32 H Componentes electrónicos
BUZ32 H Ventas
BUZ32 H Proveedor
BUZ32 H Distribuidor
BUZ32 H Tabla de datos
BUZ32 H Fotos
BUZ32 H Precio
BUZ32 H Oferta
BUZ32 H El precio más bajo
BUZ32 H Buscar
BUZ32 H Adquisitivo
BUZ32 H Chip