Comprar Infineon Technologies BUZ32H3045AATMA1 MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263

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BUZ32H3045AATMA1

MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263

Número de pieza

BUZ32H3045AATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO263-3

Disipación de energía (máx.)

75W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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