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IPA65R1K0CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V TO220-3
Número de pieza
IPA65R1K0CEXKSA1
Fabricante/Marca
Serie
CoolMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO220 Full Pack
Disipación de energía (máx.)
68W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Super Junction
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
650V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
7.2A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 200µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
328pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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