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IPB025N10N3GE8187ATMA1

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Número de pieza

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO263-7

Disipación de energía (máx.)

300W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

180A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 275µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

206nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

14800pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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