Comprar Infineon Technologies IPB04N03LA G MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

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IPB04N03LA G

MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Número de pieza

IPB04N03LA G

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO263-3-2

Disipación de energía (máx.)

107W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

25V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

80A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 60µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3877pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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