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IPB060N15N5ATMA1

IPB060N15N5ATMA1

MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Número de pieza
IPB060N15N5ATMA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO263-7
Disipación de energía (máx.)
250W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
150V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
136A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 68A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.6V @ 180µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5300pF @ 75V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
8V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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Palabras clave deIPB060N15N5ATMA1
IPB060N15N5ATMA1 Componentes electrónicos
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