Comprar Infineon Technologies IPB100N04S4H2ATMA1 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

IPB100N04S4H2ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2

Número de pieza

IPB100N04S4H2ATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO263-3-2

Disipación de energía (máx.)

115W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 70µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7180pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 17472 PCS

Información del contacto