Comprar Infineon Technologies IPB110N20N3LFATMA1 MOSFET N-CH 200 D2PAK-3

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IPB110N20N3LFATMA1

MOSFET N-CH 200 D2PAK-3

Número de pieza

IPB110N20N3LFATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™ 3

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO263-3

Disipación de energía (máx.)

250W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

88A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 88A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.2V @ 260µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

76nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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