Comprar Infineon Technologies IPB123N10N3GATMA1 MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3

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Hojas de datos

IPB123N10N3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3

Número de pieza

IPB123N10N3GATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

D²PAK (TO-263AB)

Disipación de energía (máx.)

94W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

58A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

12.3 mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 46µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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