Comprar Infineon Technologies IPB45P03P4L11ATMA1 MOSFET P-CH TO263-3

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IPB45P03P4L11ATMA1

MOSFET P-CH TO263-3

Número de pieza

IPB45P03P4L11ATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO263-3-2

Disipación de energía (máx.)

58W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

45A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

10.8 mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 85µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3770pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

+5V, -16V

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