Comprar Infineon Technologies IPD053N06NATMA1 MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3

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Hojas de datos

IPD053N06NATMA1

MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3

Número de pieza

IPD053N06NATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO252-3

Disipación de energía (máx.)

3W (Ta), 83W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

18A (Ta), 45A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5.3 mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.8V @ 36µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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