La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IPD110N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Número de pieza
IPD110N12N3GATMA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO252-3
Disipación de energía (máx.)
136W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
120V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
75A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 83µA (Typ)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4310pF @ 60V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 43131 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIPD110N12N3GATMA1
IPD110N12N3GATMA1 Componentes electrónicos
IPD110N12N3GATMA1 Ventas
IPD110N12N3GATMA1 Proveedor
IPD110N12N3GATMA1 Distribuidor
IPD110N12N3GATMA1 Tabla de datos
IPD110N12N3GATMA1 Fotos
IPD110N12N3GATMA1 Precio
IPD110N12N3GATMA1 Oferta
IPD110N12N3GATMA1 El precio más bajo
IPD110N12N3GATMA1 Buscar
IPD110N12N3GATMA1 Adquisitivo
IPD110N12N3GATMA1 Chip