Comprar Infineon Technologies IPD26N06S2L35ATMA2 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

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Hojas de datos

IPD26N06S2L35ATMA2

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Número de pieza

IPD26N06S2L35ATMA2

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO252-3-11

Disipación de energía (máx.)

68W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

55V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

30A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 26µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

621pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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