Comprar Infineon Technologies IPD60N10S4L12ATMA1 MOSFET N-CH TO252-3

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Hojas de datos

IPD60N10S4L12ATMA1

MOSFET N-CH TO252-3

Número de pieza

IPD60N10S4L12ATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO252-3-313

Disipación de energía (máx.)

94W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

60A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.1V @ 46µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3170pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±16V

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