Comprar Infineon Technologies IPD65R660CFDAATMA1 MOSFET N-CH TO252-3

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

IPD65R660CFDAATMA1

MOSFET N-CH TO252-3

Número de pieza

IPD65R660CFDAATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO252-3

Disipación de energía (máx.)

62.5W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

6A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

660 mOhm @ 3.22A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 214.55µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

543pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 14860 PCS

Información del contacto