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IPD70R1K4P7SAUMA1

IPD70R1K4P7SAUMA1

MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Número de pieza
IPD70R1K4P7SAUMA1
Fabricante/Marca
Serie
CoolMOS™ P7
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO252-3
Disipación de energía (máx.)
23W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
700V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 40µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
158pF @ 400V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±16V
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Palabras clave deIPD70R1K4P7SAUMA1
IPD70R1K4P7SAUMA1 Componentes electrónicos
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