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IPI037N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Número de pieza
IPI037N08N3GHKSA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO262-3
Disipación de energía (máx.)
214W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
80V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3.75 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 155µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
117nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
8110pF @ 40V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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