Comprar Infineon Technologies IPI041N12N3GAKSA1 MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3

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IPI041N12N3GAKSA1

MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3

Número de pieza

IPI041N12N3GAKSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO262-3

Disipación de energía (máx.)

300W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

120V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

120A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.1 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 270µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

211nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13800pF @ 60V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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