Comprar Infineon Technologies IPI180N10N3GXKSA1 MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

IPI180N10N3GXKSA1

MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3

Número de pieza

IPI180N10N3GXKSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO262-3

Disipación de energía (máx.)

71W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

43A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 33µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 40901 PCS

Información del contacto