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IPL60R210P6AUMA1

IPL60R210P6AUMA1

MOSFET N-CH 600V 4VSON
Número de pieza
IPL60R210P6AUMA1
Fabricante/Marca
Serie
CoolMOS™ P6
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
4-PowerTSFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-VSON-4
Disipación de energía (máx.)
151W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
19.2A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
210 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 630µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1750pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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