Comprar Infineon Technologies IPL60R650P6SATMA1 MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

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IPL60R650P6SATMA1

MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

Número de pieza

IPL60R650P6SATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P6

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-ThinPak (5x6)

Disipación de energía (máx.)

56.8W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

6.7A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 200µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

557pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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