Comprar Infineon Technologies IPL65R165CFDAUMA1 MOSFET N-CH 4VSON

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IPL65R165CFDAUMA1

MOSFET N-CH 4VSON

Número de pieza

IPL65R165CFDAUMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

4-PowerTSFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-VSON-4

Disipación de energía (máx.)

195W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

21.3A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

165 mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 900µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2340pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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