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IPN70R2K1CEATMA1

IPN70R2K1CEATMA1

MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223
Número de pieza
IPN70R2K1CEATMA1
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-223-3
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-SOT223
Disipación de energía (máx.)
5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
750V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.1 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 70µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
163pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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Palabras clave deIPN70R2K1CEATMA1
IPN70R2K1CEATMA1 Componentes electrónicos
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