Comprar Infineon Technologies IPP023NE7N3GXKSA1 MOSFET N-CH 75V 120A TO220

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

IPP023NE7N3GXKSA1

MOSFET N-CH 75V 120A TO220

Número de pieza

IPP023NE7N3GXKSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO220-3-1

Disipación de energía (máx.)

300W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

75V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

120A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.8V @ 273µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

206nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 37.5V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 28930 PCS

Información del contacto