Comprar Infineon Technologies IPP50R399CPHKSA1 MOSFET N-CH 560V 9A TO-220

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IPP50R399CPHKSA1

MOSFET N-CH 560V 9A TO-220

Número de pieza

IPP50R399CPHKSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO220-3-1

Disipación de energía (máx.)

83W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

560V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

399 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 330µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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