Comprar Infineon Technologies IPP65R190C6XKSA1 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

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IPP65R190C6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

Número de pieza

IPP65R190C6XKSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO-220-3

Disipación de energía (máx.)

151W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

20.2A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 730µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

73nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1620pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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