La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IPS105N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
Número de pieza
IPS105N03LGAKMA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO251-3
Disipación de energía (máx.)
38W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
35A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 28158 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIPS105N03LGAKMA1
IPS105N03LGAKMA1 Componentes electrónicos
IPS105N03LGAKMA1 Ventas
IPS105N03LGAKMA1 Proveedor
IPS105N03LGAKMA1 Distribuidor
IPS105N03LGAKMA1 Tabla de datos
IPS105N03LGAKMA1 Fotos
IPS105N03LGAKMA1 Precio
IPS105N03LGAKMA1 Oferta
IPS105N03LGAKMA1 El precio más bajo
IPS105N03LGAKMA1 Buscar
IPS105N03LGAKMA1 Adquisitivo
IPS105N03LGAKMA1 Chip