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IPS12CN10LGBKMA1
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
Número de pieza
IPS12CN10LGBKMA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO251-3
Disipación de energía (máx.)
125W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
69A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
11.8 mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.4V @ 83µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5600pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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